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内圆切割时晶片表层损害层大,给CMP产生挺大黔削抛光工作中;刃口宽。材料损害大。品片出率低;成木高。生产效率低;每一次只有切割一片。当晶圆直径达到300mm时。内圆刀头外径将达到1.18m。内径为410mm。在生产制造、安装与调节上产生许多艰难。故后期主要发展趋势线切别主导的晶圆切割技术。
在过去三十年期间,切片(dicing)系统与刀片(blade)已经不断地改进以对付工艺的挑战和接纳不同类型基板的要求。新的、对生产率造成大影响的设备进展包括:采用两个切割(two cuts)同时进行的、将超程(overtravel)减到小的双轴(dual-spindle)切片系统。
在芯片的分割期间,刀片碾碎基础材料(晶圆),同时去掉所产生的碎片。材料的去掉沿着晶方(dice)的有源区域之间的切割线(迹道)发生的。冷却剂(通常是去离子水)指到切割缝内,改善切割品质,和通过帮助去掉碎片而延长刀片寿命。每条迹道(street)的宽度(切口)与刀片的厚度成比例。
在许多晶圆的切割期间经常遇到的较窄迹道(street)宽度,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内的能力。这就要求使用具有高分度轴精度、高光学放大和对准运算的设备。当用窄迹道切割晶圆时的一个常见的推荐是,选择尽可能薄的刀片。可是,很薄的刀片(20µm)是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损。结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。对于50~76µm迹道的刀片推荐厚度应该是20~30µm。
为了接收今天新的切片挑战,切片系统与刀片之间的协作是必要的。对于(high-end)应用特别如此。刀片在工艺优化中起主要的作用。为了接纳所有来自于迅速的技术发展的新的切片要求,今天可以买到各种各样的刀片。这使得为正确的工艺选择正确的刀片成为一个比以前更加复杂的任务。
切割参数对材料清除率有直接关系,它反过来影响刀片的性能和工艺效率。对于一个工艺为了优化刀片,设计试验方法(DOE, designed experiment)可减少所需试验的次数,并提供刀片特性与工艺参数的结合效果。另外,设计试验方法(DOE)的统计分析使得可以对有用信息的推断,以建议达到甚至更高产出和/或更低资产拥有成本的进一步工艺优化。
主营行业:半导体设备 |
公司主营:晶圆理片器,晶圆转换器,晶圆挑片器,晶圆校准器--> |
主营地区:苏州工业园区东富路32号B栋206室 |
企业类型:私营股份有限公司 |
注册资金:人民币81万 |
公司成立时间:2013-02-01 |
员工人数:5 - 10 人 |
研发部门人数:5 - 10 人 |
经营模式:生产+贸易型 |
经营期限:2013-01-01 至 2043-02-21 |
最近年检时间:2023年 |
登记机关:苏州工业园区市场监督管理局 |
年营业额:人民币 10 万元/年以下 |
年出口额:人民币 10 万元/年以下 |
年进口额:人民币 10 万元/年以下 |
经营范围:苏州硕世微电子有限公司成立于2013年,是一家立志于服务中国泛半导体行业“半导体、LED、液晶面板、Wafer Aligner 晶圆寻边器、Wafer Transfer 晶圆转换器、晶圆校准器pre-aligner、Wafer Cassette 晶圆载具、Machined parts 机加工零件、Fitting Assembly 装配总成等产品。 |
厂房面积:1000平方米 |
月产量:11111111111111台 |
是否提供OEM:是 |
质量控制:第三方 |
公司邮编:215000 |
公司电话:0512-62386149 |
公司传真:0512-62386149 |
公司邮箱:15962404138@163.com |
公司网站:http://www.so-sch.com.cn |
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